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雪崩光電二極管通過施加反向電壓產生內部增益，具有比PIN光電二極管更高的信噪比（SNR），更快的時間響應，更高的靈敏度以及更低的暗電流。光譜響應范圍通常在200-1150nm之間。
Si 雪崩光電二極管 >
Si 雪崩光電二極管在紫外以及近紅外的低光檢測中具有高速、高靈敏度的特點。
InGaAs 雪崩光電二極管 >
InGaAs 雪崩光電二極管在近紅外的低光檢測中具有高靈敏度的特點。
Si 雪崩光電二極管陣列 >
32像元Si 雪崩光電二極管具有低噪聲和短波范圍高靈敏度的特點。
雪崩光電二極管模塊 >
雪崩光電二極管模塊內集成了低噪聲放大器電路、高壓電源和溫度補償電路，實現便捷操作的需求。
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